[发明专利]利用弯液面的蚀刻后晶片表面清洁有效
| 申请号： | 200780024615.6 | 申请日： | 2007-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN101479831A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 朱吉;尹秀敏;马克·威尔科克森;约翰·M·德拉里奥斯 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;B08B3/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余 刚;尚志峰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种半导体晶片表面清洗方法。提供用于去除晶片表面上的污染物的第一清洗溶液到晶片表面。去除晶片表面上的所述第一清洗溶液和一些污染物。接下来，提供氧化剂溶液到晶片表面。氧化剂溶液在残留污染物材料上形成氧化层。氧化剂溶液再从晶片表面去除掉，接着，提供第二清洗溶液到晶片表面。第二清洗溶液从晶片表面去除。所述第二清洗溶液配置为能充分去除氧化层与残留污染物。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 液面 蚀刻 晶片 表面 清洁 | ||
【主权项】：
1. 一种清洗半导体晶片的方法，包括：提供包括多个源入口和多个源出口的接近头；将接近头设在靠近晶片表面处；通过所述多个源入口将氧化剂溶液提供到晶片表面，所述氧化剂溶液在晶片表面上的一种或多种污染物材料上形成氧化层；通过所述多个源出口将氧化剂溶液从晶片表面去除；实施去离子水冲洗作业；通过所述多个源入口将清洗溶液提供到晶片表面；以及通过所述多个源出口将清洗溶液从晶片表面去除，该清洗溶液限定为能将晶片表面上的所述氧化层随同一种或多种污染物材料充分去除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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