[发明专利]制备分割芯片的方法有效
申请号: | 200780024685.1 | 申请日: | 2007-06-18 |
公开(公告)号: | CN101479835A | 公开(公告)日: | 2009-07-08 |
发明(设计)人: | 秋山良太;齐藤一太 | 申请(专利权)人: | 3M创新有限公司 |
主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;H01L21/78;H01L21/304 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 梁晓广;关兆辉 |
地址: | 美国明*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供了一种制备分割芯片的方法,在芯片的后表面被磨削的同时,防止所述芯片通过所述芯片跳动或通过接触所述相邻芯片而被损坏。本发明提供了一种通过研磨待磨材料的后表面制备分割芯片的方法,所述方法包括通过沿所述芯片的边界在其厚度方向上至少部分地切割所述芯片,从而将多个芯片分割成各个芯片,其中用液体粘合剂填充所述各个芯片之间的间隙,将所述待磨材料以其后表面被暴露的方式层叠在刚性支承材料上,并且固化或凝固所述粘合剂,以形成按如下顺序布置的层叠物:具有所述多个芯片的待磨材料、所述粘合剂固体材料以及所述刚性支承材料;所述层叠物从所述待磨材料的后表面侧磨削,将所述刚性支承构件从所述层叠物移除,将柔性粘合剂片粘合到所述粘合剂固体材料,并且拾取并回收所述各个芯片。 | ||
搜索关键词: | 制备 分割 芯片 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种通过磨削待磨材料的后表面制备分割芯片的方法,所述待磨材料包括通过沿芯片的边界在其厚度方向上至少部分地切割所述芯片而分成各个芯片的多个芯片;其中用液体粘合剂填充通过所述切割形成的所述各个芯片之间的间隙,所述待磨材料以其后表面被暴露的方式层叠在刚性支承材料上,并且所述粘合剂被固化或凝固以形成按如下顺序布置的层叠物:具有所述多个芯片的所述待磨材料、粘合剂固体材料以及所述刚性支承材料层叠;从所述待磨材料的后表面侧磨削所述层叠物,从而在所述层叠物上获得薄的并且各自分开的芯片;从所述层叠物移除所述刚性支承构件;将柔性粘合剂片粘合到所述层叠物的所述粘合剂固体材料上,其中所述刚性支承材料已从所述层叠物移除;并且拾取并回收在所述柔性粘合剂片上由所述粘合剂固体材料保持的所述各个芯片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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