[发明专利]CMP用研磨液及研磨方法无效
| 申请号： | 200780025341.2 | 申请日： | 2007-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN101484276A | 公开（公告）日： | 2009-07-15 |
| 发明（设计）人： | 木村忠广 | 申请（专利权）人： | 日立化成工业株式会社 |
| 主分类号： | B24B37/00 | 分类号： | B24B37/00;C09K3/14;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 雒纯丹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种CMP用研磨液，其能够连续研磨阻挡层、配线金属层以及层间绝缘膜，并能够抑制由于配线金属层附近的层间绝缘膜的过度磨削而产生坑的现象。该CMP用研磨液的特征在于，包含磨粒、酸、所述通式(I)所表示的甲苯并三唑化合物及水，(式(I)中，R1各自独立地表示碳原子数为1～4的亚烷基，R2表示碳原子数为1～4的亚烷基。) | ||
| 搜索关键词： | cmp 研磨 方法 | ||
【主权项】：
1.一种CMP用研磨液，其特征在于，包含磨粒、酸、下述通式(I)所表示的甲苯并三唑化合物及水![]()
(式(I)中，R1各自独立地表示碳原子数为1～4的亚烷基，R2表示碳原子数为1～4的亚烷基)。
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