[发明专利]导电层的制备方法有效
| 申请号： | 200780025610.5 | 申请日： | 2007-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN101484606A | 公开（公告）日： | 2009-07-15 |
| 发明（设计）人： | 卡尔·凯勒;乔治·孔施尔特;斯特凡·施利希特尔;乔治·施特劳斯 | 申请（专利权）人： | 普兰西欧洲股份公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/08;H01M8/12 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁业平;张天舒 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明描述了通过脉冲溅射工艺来沉积导电层、尤其是沉积钙钛矿导电层的方法。该层对于铁族元素具有低的扩散系数，并且特别适用于固体氧化物燃料电池。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 制备 方法 | ||
【主权项】：
1. 制备导电陶瓷层的方法，其特征在于，所述层是通过脉冲溅射方法而制备的。
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