[发明专利]等离子体成膜装置与膜制造方法有效
| 申请号： | 200780025754.0 | 申请日： | 2007-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN101490304A | 公开（公告）日： | 2009-07-22 |
| 发明（设计）人： | 森脇崇行;斋藤友康;佐佐木雅夫;中河原均 | 申请（专利权）人： | 佳能安内华股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/32 | 分类号： | C23C14/32;G02F1/1343 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 康建忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种等离子体成膜装置，具有发射等离子体束的等离子体枪、和施加磁场到从等离子体枪发射的等离子体束以将等离子体束的束截面变形成几乎矩形或椭圆形的形状的磁体，所述等离子体成膜装置包括多个磁体单元，所述多个磁体单元偏转其束截面被变形的等离子体束，以用偏转的等离子体束照射照射靶。要被布置在照射靶的表面的下后侧的第一磁体和具有与第一磁体的磁极相同的磁极的第二磁极被布置在每一个磁体单元中。第一磁体和第二磁体排列成彼此间隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种等离子体成膜装置，具有发射等离子体束的等离子体枪、和施加磁场到从所述等离子体枪发射的等离子体束以将所述等离子体束的束截面变形成几乎矩形或椭圆形的形状的磁体，所述装置包含：多个磁体单元，所述多个磁体单元偏转其束截面被变形的所述等离子体束，以用被偏转的等离子体束照射照射靶，其中，要被布置在所述照射靶的表面的下后侧的第一磁体和具有与所述第一磁体的磁极相同的磁极的第二磁体被布置在所述磁体单元中，以使所述第一磁体和所述第二磁体排列成彼此间隔开。
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