[发明专利]用于半导体制造工具的过滤系统有效
| 申请号： | 200780026194.0 | 申请日： | 2007-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN101489649A | 公开（公告）日： | 2009-07-22 |
| 发明（设计）人： | 安德利·雷福;欧雷格·P·克史科维奇 | 申请（专利权）人： | 赢提莱公司 |
| 主分类号： | B01D53/04 | 分类号： | B01D53/04;B01D46/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于半导体制造工具的过滤系统。在一个实施方案中，该过滤系统于半导体制造工具相结合。本发明的系统包括与气流径流体连通的第一和第二过滤层。气流径是含有挥发性的硅化物(例如，六甲基二硅氧烷和三甲基硅烷醇)的气体流。气流径通过第一和第二过滤层以与半导体制造工具流体连通。优选的是，过滤系统的第一过滤层沿着气流径在第二过滤层的上游。第一和第二过滤层的介质以特定的污染物浓度为基础加以挑选和安排的。本发明也提供一种用于过滤与半导体制造工具连通的含有六甲基二硅氧烷和三甲基硅烷醇的气体的方法，其中使用一种包含第一和第二过滤层的过滤系统。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 制造 工具 过滤 系统 | ||
【主权项】：
1. 一种用于半导体制程工具的过滤系统，该半导体制程工具与含污染物的气流径流体连通，其中气流径含有比三甲基硅烷醇高的污染物浓度的六甲基二硅氧烷，该过滤系统包括：第一过滤层，其用来移除来自气流径通过该处的污染物，其中第一过滤层能够移除比三甲基硅烷醇高的污染物浓度的六甲基二硅氧烷；以及第二过滤层用来移除来自气流径的污染物，其中气流径向上游从第一过滤层通过第二过滤层。
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