[发明专利]背侧浸没式光刻无效

专利信息
申请号: 200780026360.7 申请日: 2007-05-15
公开(公告)号: CN101490623A 公开(公告)日: 2009-07-22
发明(设计)人: 乌尔里克·扬布莱德;珀-埃里克·古斯塔夫森 申请(专利权)人: 麦克罗尼克激光系统公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 屈玉华
地址: 瑞典*** 国省代码: 瑞典;SE
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摘要: 本公开涉及在施加到衬底(210)的辐射敏感层中形成潜像(latent image),该衬底对曝光波长的辐射是透明的或者是能透射的。具体地,本公开涉及所谓的背侧光刻,其中曝光系统的最后的透镜(101)被定位以通过透明衬底的第一侧(110)投射电磁辐射并且使覆于与透明衬底的第一侧相对的第二侧上的辐射敏感层(214)曝光。描述了用于进一步处理以形成与潜像(像或者逆像)相对应的不透辐射层的五个供选实施例。这些方法以及相应的器件可用于生产掩模(mask)(有时被称为母掩模(reticle))、在半导体器件中产生潜像以及利用掩模形成半导体器件的部件。
搜索关键词: 浸没 光刻
【主权项】:
1. 一种在具有第一侧以及与所述第一侧相对的第二侧的透明衬底上印刷微光刻图案的方法,所述第二侧覆有辐射敏感层,所述方法的特征在于以下步骤:将所述衬底置于邻近曝光系统的最后透镜,其中在所述最后透镜和所述衬底的第一侧之间的空间填充有浸没介质;以及透过所述衬底的第一侧将曝光辐射聚焦到覆盖所述衬底的第二侧的所述辐射敏感层上,并且在所述辐射敏感层中形成潜像。
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