[发明专利]电场信息读头、电场信息写/读头及其制造方法以及使用其的信息存储装置

摘要

本发明提供了用于从信息存储介质的表面电荷读取信息的电场信息读头，该电场信息读头包括：半导体衬底，具有在面向记录介质的表面的一端的中部中形成的电阻区域，该电阻区域用杂质轻掺杂；以及源极区域和漏极区域，在电阻区域的两侧上形成，该源极区域和漏极区域与电阻区域相比用杂质更重地掺杂。源极区域和漏极区域沿半导体衬底的面向记录介质的表面延伸，电极分别与源极区域和漏极区域电连接。此外，本发明提供了电场信息读头的制造方法以及在晶片上批量制造电场信息读头的方法。

主权项

1. 一种从记录介质的表面电荷读取信息的电场信息读头，包括半导体衬底的所述电场信息读头包括：电阻区域，形成在所述电场信息读头的面向所述记录介质的表面的一端的中部中，所述电阻区域用杂质轻掺杂；以及源极区域和漏极区域，形成在所述电阻区域的两侧，所述源极区域和所述漏极区域与所述电阻区域相比用杂质更重地掺杂。