[发明专利]具有下部填充的吸热器的半导体器件

摘要

提供了一种用于具有下部填充的吸热器(46，46’，78，78’)的半导体器件(40，61-13，61-15，61-18，61-19)的衬底(40，61-13，61-15，61-18，61-19)和方法(60-5…60-19，100，200)。该器件(40，61-13，61-15，61-18，61-19)包括具有上表面(37)和下表面(63，73)的衬底(48，72)。半导体(38，72)邻近其中具有器件区(26)的上表面(37)。在衬底(48，72)中从下表面(63，73)蚀刻位于该器件区(26)下面的一个或多个凹陷(67，77)。比衬底(48，72)具有更高导热性的材料(68)填充该一个或多个凹陷(67)并在该器件区(26)的下面在下表面(63，73)处或之外具有暴露的表面(69，69’，79，79’)。这提供了下部填充的吸热器(46，46’，78，78’)。优选复合衬底(48)，其具有延伸至包含器件区(26)的上表面(37)的第一半导体(38)，延伸至下表面(63)的第二半导体(42)以及位于第一半导体和第二半导体之间的绝缘层(36)，其中一个或多个凹陷(67)从下表面(63)延伸至绝缘层(36)，并且蚀刻深度(671)是自限制的。

主权项

1. 一种用于形成具有集成吸热器的半导体器件的方法，包括：提供包括半导体并具有上表面和下表面的衬底，以及在所述半导体中邻近于所述上表面提供器件区；形成一个或多个凹陷，所述凹陷从所述下表面向所述器件区延伸并位于所述器件区和所述下表面之间；以及用导热性高于所述半导体的材料填充所述一个或多个凹陷，以暴露所述材料的第一表面，从而产生所述集成吸热器。