[发明专利]用于抛光低介电材料的抛光液无效
申请号: | 200780027182.X | 申请日: | 2007-07-09 |
公开(公告)号: | CN101490734A | 公开(公告)日: | 2009-07-22 |
发明(设计)人: | 陈国栋;宋伟红;荆建芬;徐春;顾元 | 申请(专利权)人: | 安集微电子(上海)有限公司 |
主分类号: | G09G1/02 | 分类号: | G09G1/02;C09K3/14;H01L21/304 |
代理公司: | 上海翰鸿律师事务所 | 代理人: | 李佳铭 |
地址: | 中国上海市浦东新区张江高科技园*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于抛光低介电材料的抛光液,该抛光液包括掺铝二氧化硅磨料和水,其特征在于:还包括含铵根离子或季铵类的小分子活性物质。本发明的抛光液对低介电材料CDO以及TEOS、SiON等材料的抛光具有促进作用,但对钽、铜的抛光速率无明显的影响,因此可以大大提供衬底的抛光选择性,并且本发明的抛光液可以大大降低衬底表面的刮痕、腐蚀、点蚀等衬底表面缺陷问题。 | ||
搜索关键词: | 用于 抛光 低介电 材料 | ||
【主权项】:
PCT国内申请,权利要求书已公开。
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