[发明专利]切片及芯片键合带以及半导体芯片制造方法有效
| 申请号： | 200780027317.2 | 申请日： | 2007-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN101490813A | 公开（公告）日： | 2009-07-22 |
| 发明（设计）人： | 渡部功治;正原和幸;松田匠太;福冈正辉;竹部义之 | 申请（专利权）人： | 积水化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;C09J7/02;H01L21/52 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张平元 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供下述切片及芯片键合带，在对半导体晶片进行切片、并连同芯片键合膜一起拾取半导体芯片时，能够容易并且确实地拾取半导体芯片。一种切片及芯片键合带，其用于对晶片进行切片来得到半导体芯片，并对半导体芯片进行芯片键合，其中，该切片及芯片键合带包括芯片键合膜和贴附于该芯片键合膜的一面上的非粘性膜，所述芯片键合膜与所述非粘性膜之间的剥离强度为1～6N/m的范围，并且所述芯片键合膜与所述非粘性膜之间的剪切强度为0.3～2N/mm2。 | ||
| 搜索关键词： | 切片 芯片 键合带 以及 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 切片及芯片键合带，其用于对晶片进行切片来得到半导体芯片，并对半导体芯片进行芯片键合，其中，该切片及芯片键合带包括芯片键合膜和贴附于该芯片键合膜的一面上的非粘性膜，所述芯片键合膜与所述非粘性膜之间的剥离强度为1～6N/m的范围，并且所述芯片键合膜与所述非粘性膜之间的剪切强度为0.3～2N/mm2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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