[发明专利]使用消逝场激发的辐射探测器无效

专利信息
申请号: 200780027389.7 申请日: 2007-07-04
公开(公告)号: CN101490534A 公开(公告)日: 2009-07-22
发明(设计)人: D·J·W·克隆德;M·M·J·W·范赫佩恩;M·L·M·巴利斯特雷里;M·W·G·蓬吉;M·T·约翰逊 申请(专利权)人: 皇家飞利浦电子股份有限公司
主分类号: G01N21/64 分类号: G01N21/64;G01N15/14;C12Q1/68;B01L3/00;G01N33/551
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 王 英
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 一种用于当至少一个样品(108)受到入射激发辐射激发时,探测来自所述至少一个样品(108)的发光的探测系统(100、150、180、200、220、250)。探测发光能够探测例如生物、化学或生化颗粒。探测系统(100、150、180、200、220、250)包括具有至少第一表面(104)的至少一个光学部件(102)。将至少一个光学部件(102)的第一表面(104)定位为对入射激发辐射进行内反射,从而在至少一个光学部件(102)外部生成消逝场以对至少一个样品(108)进行激发。探测系统还包括至少一个探测器元件(110),所述探测器元件与至少一个光学部件(102)直接接触,以便探测来自至少一个激发样品(108)的通过至少一个光学部件(102)的发光。
搜索关键词: 使用 消逝 激发 辐射 探测器
【主权项】:
1、一种用于当至少一个样品(108)受到入射激发辐射激发时,探测来自所述至少一个样品(108)的发光的探测系统(100、150、180、200、220、250),所述探测系统(100、150、180、200、220、250)包括具有至少第一表面(104)的至少一个光学部件(102)和至少一个探测器元件(110),其中所述至少一个光学部件(102)的所述第一表面(104)被定位成对入射激发辐射进行全内反射,从而在所述至少一个光学部件(102)外部生成用于激发所述至少一个样品(108)的消逝场,以及所述至少一个探测器元件(110)与所述至少一个光学部件(102)直接接触,以探测来自至少一个受激发样品(108)的通过所述至少一个光学部件(102)的发光。
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