[发明专利]具有在编程期间的耦合补偿的浮动栅极存储器有效
| 申请号： | 200780027451.2 | 申请日： | 2007-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN101512667A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 李彦 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 非易失性存储器单元的浮动栅极(或其它电荷存储元件)上存储的表观电荷的偏移可能因基于相邻浮动栅极(或其它相邻电荷存储元件)中存储的电荷的电场耦合而发生。为了补偿此耦合，对给定存储器单元的读取或编程过程可考虑到相邻存储器单元的经编程状态。为了确定是否需要补偿，可执行一种过程，其包括感测关于相邻存储器单元(例如，在相邻位线或其它位置上)的经编程状态的信息。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 编程 期间 耦合 补偿 浮动 栅极 存储器 | ||
【主权项】：
1. 一种编程非易失性存储装置的方法，其包含：将非易失性存储元件编程为与特定经编程状态相关联的粗略验证电平；将第一子组所述非易失性存储元件执行额外编程为与所述特定经编程状态相关联的第一精细最终目标电平；以及将第二子组所述非易失性存储元件执行额外编程为与所述特定经编程状态相关联的第二精细最终目标电平。
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