[发明专利]多孔质绝缘膜的形成方法有效
| 申请号： | 200780027766.7 | 申请日： | 2007-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN101495674A | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | 山本博规;伊藤文则;多田宗弘;林喜宏 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/42 | 分类号： | C23C16/42;H01L21/312;H01L21/314;H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 柳春雷;南 霆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种形成多孔质绝缘膜的方法，使用具有3元SiO环状结构以及4元SiO环状结构的有机硅石的原料气体、或者具有3元SiO环状结构以及直链状有机硅石结构的有机硅石的原料气体，通过等离子体反应成膜。能够获得具有高强度、高粘合性的多孔质的层间绝缘膜。 | ||
| 搜索关键词： | 多孔 绝缘 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘膜的形成方法，所述方法利用两种以上的具有环状有机硅石结构的原料气体的等离子体反应来形成有机硅石膜，其特征在于，所述两种以上的原料包含主骨架上具有3元SiO环状结构的原料和主骨架上具有4元SiO环状结构的原料，并且这些原料的至少一种的侧链上具有至少一个不饱和烃基。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
