[发明专利]CoCrPt系溅射靶及其制造方法无效
| 申请号： | 200780027834.X | 申请日： | 2007-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101495667A | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | 加藤和照;林信和 | 申请（专利权）人： | 三井金属矿业株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22C19/00;G11B5/851 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄 威;张 彬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题在于提供一种CoCrPt系溅射靶，该CoCrPt系溅射靶为，通过减少在该溅射靶内呈不均匀存在的、以高浓度含有铬原子的高铬含量粒子的尺寸和产生数量，从而提高靶的均匀性且抑制结节或电弧放电的产生，同时具有目标组成比。本发明的CoCrPt系溅射靶含有钴、铬、陶瓷和铂，其特征在于，在该溅射靶内呈不均匀存在的、以高浓度含有铬原子的高铬含量粒子的最大外径为40μm以下。 | ||
| 搜索关键词： | cocrpt 溅射 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种CoCrPt系溅射靶，是一种含有钴、铬、陶瓷和铂的溅射靶，其特征在于，在该溅射靶内呈不均匀存在的、以高浓度含有铬原子的高铬含量粒子的最大外径为40μm以下。
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