[发明专利]集成电路的隔离结构及形成其的模块方法有效
| 申请号： | 200780027883.3 | 申请日： | 2007-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101512751A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 余亨熙;陈伟钿;唐纳德·R·迪斯尼;理查德·K·威廉斯;琼-韦·陈 | 申请（专利权）人： | 先进模拟科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 多种半导体衬底的隔离结构包括衬底中形成的沟槽，该沟槽在用电介质填充或者用导电材料填充并且沿沟槽的壁用电介质衬层。所述沟槽可以与掺杂的侧壁隔离区结合使用。所述沟槽和侧壁隔离区可以是环形的并且围绕衬底的隔离袋区。所述隔离结构通过模块注入和蚀刻工艺而形成而，其不包括显著的热处理或掺杂剂的扩散，使得所得的结构紧凑并且可以被紧密地群集在所述衬底的表面中。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 隔离 结构 形成 模块 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种在第一导电类型的半导体衬底中形成的隔离结构，包括：与所述第一导电类型相反的第二导电类型的底隔离区；从所述衬底的表面向下延伸的环形电介质填充沟槽；所述第二导电类型的环形侧壁区，至少从所述电介质填充沟槽的底部延伸到底隔离区，其中所述底隔离区，电介质填充沟槽和侧壁区一起包围所述衬底的被隔离的袋区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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