[发明专利]用于利用埋置型硅碳进行NMOSFET性能增强的超镶嵌技术和凸起型STI结构有效
| 申请号： | 200780028062.1 | 申请日： | 2007-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN101496149A | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | A·B·查克拉瓦蒂;D·奇达姆巴拉奥;J·R·霍尔特;刘孝诚;K·里姆 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种具有代位碳含量超过一个百分比以便通过向NFET的沟道区域施加拉应力而有效地增加电子迁移率的埋置型硅碳(Si:C)，尽管能够以充分高的代位碳含量沉积Si:C的工艺在本质上是非选择性的，但是可以通过超镶嵌工艺中的以下步骤来实现该埋置型硅碳：利用Si:C对由晶体管栅极结构形成的间隙或者沟槽进行过填充；以及将该Si:C进行抛光和刻蚀到凸起栅极结构的表面或者该表面以下，使得Si:C仅留在晶体管源极和漏极之上的所选区域中。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 利用 埋置型硅碳 进行 nmosfet 性能 增强 镶嵌 技术 凸起 sti 结构 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，包括：栅极区域、沟道区域以及在所述沟道区域的端部与所述栅极区域相邻的源极区域/漏极区域，所述沟道区域与所述源极区域/漏极区域形成在硅衬底中；与所述源极区域/漏极区域相邻的凸起型隔离结构，其延伸到所述硅衬底中并从所述硅衬底的表面突出；以及跨过所述源极区域/漏极区域延伸的Si:C材料体，所述Si:C材料体的一部分外延生长到所述硅衬底的沟槽中并从所述硅衬底的沟槽外延生长，且具有高于一个原子百分比的碳代位浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
