[发明专利]半导体发光元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200780028446.3 | 申请日： | 2007-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN101496236A | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | 安杖尚美;菅原岳;长谷川義晃;石桥明彦;横川俊哉 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体发光元件，具备：含有n型杂质，由碳化硅或氮化物半导体形成的GaN基板(1)；配置在GaN基板(1)的主面上的叠层构造体(10)；形成在叠层构造体(10)上的p电极(17)；和实质覆盖整个GaN基板(1)背面的第一n电极(18)；和配置在第一n电极(18)上，使第一n电极(18)的周边部的至少一部分露出的第二n电极(20)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，其特征在于，具备：含有n型杂质，由碳化硅或氮化物半导体形成的半导体基板；配置在所述半导体基板主面上的n型半导体层；配置在所述n型半导体层上的活性层；配置在所述活性层上的p型半导体层；与所述p型半导体层接触的p电极；和与所述半导体基板的所述主面相反侧的面接触的n电极，所述n电极包含：第一n电极，实质覆盖所述半导体基板的所述主面相反侧的整个面；和第二n电极，配置在所述第一n电极上，使所述第一n电极的周边部中的至少一部分露出。
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