[发明专利]非易失性半导体存储装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种非易失性半导体存储装置及其制造方法。非易失性存储装置(25)包括：半导体基板(11)；在半导体基板(11)上形成的下层配线(12)；在下层配线(12)的上方以与该下层配线(12)交叉的方式形成的上层配线(20)；在下层配线(12)和上层配线(20)之间设置的层间绝缘膜(13)；和被埋入形成于层间绝缘膜(13)的接触孔(14)中，与下层配线(12)和上层配线(20)电连接的电阻变化层(15)；上层配线(20)具备至少两层：由具有氢阻挡性的导电性材料构成的最下层(21)、和比该最下层比电阻小的导电体层(22)。

主权项

1.一种非易失性半导体存储装置，其特征在于，包括：半导体基板；在所述半导体基板上形成的下层配线；在所述下层配线的上方以与该下层配线交叉的方式形成的上层配线；在所述下层配线和所述上层配线之间设置的层间绝缘膜；被埋入形成于所述层间绝缘膜的接触孔中，与所述下层配线和所述上层配线电连接的电阻变化层；所述上层配线具备至少两层：由具有氢阻挡性的导电性材料构成的最下层、和比该最下层比电阻小的导电体层。