[发明专利]用于制造经分级的高纯度多晶硅碎片的方法和装置有效
| 申请号： | 200780028542.8 | 申请日： | 2007-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN101495682A | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | M·谢弗;R·佩赫;H·沃赫纳 | 申请（专利权）人： | 瓦克化学股份公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C01B33/037;C01B33/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及用于制造经分级的高纯度多晶硅碎片的方法，其中利用包括粉碎工具和筛分装置的装置对来自西门子法的多晶硅进行粉碎和分级，并利用清洁浴清洁由此获得的多晶硅碎片，其特征在于，所述粉碎工具和所述筛分装置与多晶硅接触的表面主要由一种材料制成，该材料仅以杂质颗粒污染多晶硅碎片，随后通过清洁浴针对性地去除该杂质颗粒。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 分级 纯度 多晶 碎片 方法 装置 | ||
【主权项】：
1、用于制造经分级的高纯度多晶硅碎片的方法，其中利用包括粉碎工具和筛分装置的装置对来自西门子法的多晶硅进行粉碎和分级，并利用清洁浴清洁由此获得的多晶硅碎片，其特征在于，所述粉碎工具和所述筛分装置与多晶硅接触的表面主要由一种材料制成，该材料仅以杂质颗粒污染多晶硅碎片，随后通过清洁浴针对性地去除该杂质颗粒。
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