[发明专利]在具有受控界面特性和扩散尾的第Ⅳ族衬底上制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200780029521.8 | 申请日： | 2007-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN101501819A | 公开（公告）日： | 2009-08-05 |
| 发明（设计）人： | 诺贝特·皮茨;西蒙·法法德;约瑟夫·勒内·布鲁诺·瑞尔 | 申请（专利权）人： | 瑟雷姆技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/3205;H01L29/12;H01L31/0256 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜有;吴亦华 |
| 地址： | 加拿大*** | 国省代码： | 加拿大;CA |
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| 摘要： | 在斜切第IV族衬底上具有外延沉积的第III/V族化合物的电子和光电子器件及其制造方法。所述器件包括在Ge衬底上的AlAs成核层。所述第IV族衬底包含p-n结，在含As层的外延生长期间其特性的改变通过AlAs成核层得到最小化。所述AlAs成核层提供器件的改善的形态以及一种手段，以通过扩散As和/或P来控制p-n结位置接近第IV族衬底表面和通过最小化第IV族元素的扩散来控制p-n结位置接近第III/V族结构的底部。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 受控 界面 特性 扩散 衬底 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体器件，包括：第IV族层；和在所述第IV族层上形成的成核层，所述成核层包括第III-V族化合物，所述第III-V族化合物具有至少铝(Al)作为第III族元素以及砷(As)、氮(N)和锑(Sb)中的至少一种作为第V族元素。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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