[发明专利]制造电子电路部件的方法无效
| 申请号： | 200780029550.4 | 申请日： | 2007-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN101501821A | 公开（公告）日： | 2009-08-05 |
| 发明（设计）人： | 前田真一;小野豪;冈田一诚;下田浩平 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社;日产化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/288 | 分类号： | H01L21/288;H01L21/336;H01L29/786;H01L51/05 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陈海涛;樊卫民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供一种制造电子电路部件如有机TFT 1的方法，该方法能够制造具有优良可靠性和实用水平品质的电子电路部件，因为特别是在通用塑料衬底等上，通过在对上述塑料衬底无影响的200℃以下的工艺温度下的处理，能够形成具有更优良特性的绝缘层和导电层。本发明的制造电子电路部件的方法包括：在200℃以下的温度加热含聚酰亚胺及其前体中的至少一种的层，以形成与水的接触角为80°以上的绝缘层4；在上述绝缘层4上形成包括含金属纳米粒子的分散体的涂膜，并在200℃以下的温度加热上述涂膜以形成导电层如源极5或漏极6。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 电子电路 部件 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种制造电子电路部件的方法，其包括如下步骤：在200℃以下的温度加热包含聚酰亚胺及其前体中的至少一种的层以形成与水的接触角为80°以上的绝缘层，以及在所述绝缘层上形成包括含金属纳米粒子的分散体的涂膜，并在200℃以下的温度加热所述涂膜以形成导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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