[发明专利]半导体器件及用于制造具有改善的散热能力的半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200780029970.2 | 申请日： | 2007-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN101595557A | 公开（公告）日： | 2009-12-02 |
| 发明（设计）人： | 周大德;张雄杰;李晛;付海;田永琦 | 申请（专利权）人： | 威世通用半导体公司 |
| 主分类号： | H01L23/28 | 分类号： | H01L23/28;H01L23/31;H01L23/34 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种可安装到基板的半导体器件，包括半导体管芯和导电性附接区，所述导电性附接区具有第一附接表面和第二附接表面。第一附接表面被布置用于与半导体管芯电连通。外壳至少部分地封闭半导体管芯和夹层材料。外壳具有通过导电性附接区的第二附接表面而设置的凹进部。电介质导热性夹层材料位于凹进部中并且固定到外壳。金属板位于凹进部中并且固定到夹层材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 用于 制造 具有 改善 散热 能力 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其可安装到基板，该半导体器件包括：半导体管芯；导电性附接区，具有第一附接表面和第二附接表面，所述第一附接表面被布置用于与所述半导体管芯电连通；外壳，至少部分地封闭所述半导体管芯和夹层材料，所述外壳具有通过所述导电性附接区的第二附接表面而设置的凹进部；电介质导热性夹层材料，位于所述凹进部中并且固定到所述外壳；以及金属板，位于所述凹进部中并且固定到所述夹层材料。
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