[发明专利]使用显影溶剂制备图案化膜的方法有效
申请号: | 200780030256.5 | 申请日: | 2007-08-08 |
公开(公告)号: | CN101501571A | 公开(公告)日: | 2009-08-05 |
发明(设计)人: | H·C.G.D.C.·玫宁;B·哈克尼丝 | 申请(专利权)人: | 道康宁公司 |
主分类号: | G03F7/075 | 分类号: | G03F7/075;G03F7/32 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 赵蓉民;路小龙 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 在基板上制备图案化膜的方法包括将有机硅组合物应用在基板上以形成有机硅组合物膜。将该膜的一部分暴露于辐射,用以产生具有暴露区和非暴露的部分暴露膜。在足够的温度下加热部分暴露膜足够量的时间,以便使暴露区在包括硅氧烷成分的显影溶剂中基本上不溶解。使用显影溶剂去除部分暴露膜的非暴露区,用以在基板上呈现无膜区并形成包括保留在基板上的暴露区的图案化膜。由于在显影溶剂中存在硅氧烷成分,无膜区基本上不含残留的有机硅。 | ||
搜索关键词: | 使用 显影 溶剂 制备 图案 方法 | ||
【主权项】:
1. 在基板上制备图案化膜的方法,所述方法包括下列步骤:将有机硅组合物应用在基板上以形成有机硅组合物膜;将所述膜的一部分暴露于辐射,以产生具有暴露区和非暴露区的部分暴露膜;在足够的温度下加热所述部分暴露膜足够量的时间,以使所述暴露区在包括硅氧烷成分的显影溶剂中基本上不溶,所述非暴露区在所述显影溶剂中保持可溶;和使用所述显影溶剂去除所述部分暴露膜的所述非暴露区,以在所述基板上呈现无膜区,并形成包括保留在所述基板上的所述暴露区的所述图案化膜,由于所述显影溶剂中存在所述硅氧烷成分,所述无膜区由于所述显影溶剂而基本上不含残留有机硅。
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