[发明专利]基于原硅酸盐衍生物的嵌锂电极材料无效
| 申请号： | 200780031152.6 | 申请日： | 2007-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN101507018A | 公开（公告）日： | 2009-08-12 |
| 发明（设计）人： | 约翰·O·托马斯;安东·尼特恩;米歇尔·阿尔芒 | 申请（专利权）人： | 莱夫赛斯股份公司 |
| 主分类号： | H01M4/58 | 分类号： | H01M4/58;H01M10/40;H01M4/62;H01M4/02;H01M4/36 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陈海涛;樊卫民 |
| 地址： | 瑞典乌*** | 国省代码： | 瑞典;SE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种基于原硅酸盐结构的嵌锂型正极材料以及该材料的发电器和可变光传输装置。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 硅酸盐 衍生物 电极 材料 | ||
【主权项】：
1. 一种基于原硅酸盐结构的嵌锂型正极材料，具有式I：Lix+yM1-(y+d+t+q+r)DdTtQqRr[SiO4]1-(p+s+v+a+b)[SO4]s[PO4]p[VO4]v[AlO4]a[BO4]b其中M选自Mn2+和Fe2+及其组合；D是+2氧化态的金属，选自Mg2+、Ni2+、Co2+、Zn2+、Cu2+、Ti2+和Ca2+；T是+3氧化态的金属，选自Al3+、Ti3+、Cr3+、Fe3+、Mn3+、Ga3+、Zn2+和V3+；Q是+4氧化态的金属，选自Ti4+、Ge4+、Sn4+和V4+；R是+5氧化态的金属，选自V5+、Nb5+和Ta5+；和
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于莱夫赛斯股份公司，未经莱夫赛斯股份公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200780031152.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
