[发明专利]光伏电池及制造该光伏电池的方法无效
申请号: | 200780031175.7 | 申请日: | 2007-08-21 |
公开(公告)号: | CN101523615A | 公开(公告)日: | 2009-09-02 |
发明(设计)人: | 君·曼扭尔·费尔南德兹;拉菲尔·布诺;卡曼·莫利拉;因纳斯·玟库拉 | 申请(专利权)人: | BP太阳能旗舰股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/068 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 林月俊;安 翔 |
地址: | 西班牙*** | 国省代码: | 西班牙;ES |
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摘要: | 一种用于制造光伏器件的方法,该光伏器件具有包含掺杂有第一掺杂剂的硅的衬底,所述方法包括下列步骤:a.在衬底的前表面上形成第一层,该第一层包含导电类型与第一掺杂剂相反的第二掺杂剂;b.在第一层上形成第二表面涂层;c.形成到达或者进入硅衬底的狭长凹槽;d.在凹槽内形成第三层,该层包含导电类型与第一掺杂剂相反的第三掺杂剂;e.形成接触指系统,所述接触指系统与凹槽交叉,以提供导电的前触点;以及f.形成第二触点。 | ||
搜索关键词: | 电池 制造 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种用于制造光伏器件的方法,所述光伏器件具有衬底,该衬底包含掺杂有第一掺杂剂的硅,所述方法包括下列步骤:a. 在所述衬底的前表面上形成第一层,所述第一层包含导电类型与第一掺杂剂相反的第二掺杂剂;g. 在所述第一层上形成第二表面涂层;h. 形成到达或者进入所述硅衬底的狭长凹槽;i. 在所述凹槽内形成第三层,该层包含导电类型与第一掺杂剂相反的第三掺杂剂;j. 形成接触指系统,所述接触指系统与所述凹槽交叉,以提供导电的前触点;以及k. 形成第二触点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的