[发明专利]光伏电池及制造该光伏电池的方法无效

专利信息
申请号: 200780031175.7 申请日: 2007-08-21
公开(公告)号: CN101523615A 公开(公告)日: 2009-09-02
发明(设计)人: 君·曼扭尔·费尔南德兹;拉菲尔·布诺;卡曼·莫利拉;因纳斯·玟库拉 申请(专利权)人: BP太阳能旗舰股份有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/068
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 林月俊;安 翔
地址: 西班牙*** 国省代码: 西班牙;ES
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摘要: 一种用于制造光伏器件的方法,该光伏器件具有包含掺杂有第一掺杂剂的硅的衬底,所述方法包括下列步骤:a.在衬底的前表面上形成第一层,该第一层包含导电类型与第一掺杂剂相反的第二掺杂剂;b.在第一层上形成第二表面涂层;c.形成到达或者进入硅衬底的狭长凹槽;d.在凹槽内形成第三层,该层包含导电类型与第一掺杂剂相反的第三掺杂剂;e.形成接触指系统,所述接触指系统与凹槽交叉,以提供导电的前触点;以及f.形成第二触点。
搜索关键词: 电池 制造 方法
【主权项】:
1. 一种用于制造光伏器件的方法,所述光伏器件具有衬底,该衬底包含掺杂有第一掺杂剂的硅,所述方法包括下列步骤:a. 在所述衬底的前表面上形成第一层,所述第一层包含导电类型与第一掺杂剂相反的第二掺杂剂;g. 在所述第一层上形成第二表面涂层;h. 形成到达或者进入所述硅衬底的狭长凹槽;i. 在所述凹槽内形成第三层,该层包含导电类型与第一掺杂剂相反的第三掺杂剂;j. 形成接触指系统,所述接触指系统与所述凹槽交叉,以提供导电的前触点;以及k. 形成第二触点。
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