[发明专利]碳纳米管接触结构无效

专利信息
申请号: 200780031193.5 申请日: 2007-08-21
公开(公告)号: CN101652901A 公开(公告)日: 2010-02-17
发明(设计)人: B·N·埃尔德里奇;J·K·格里特斯;I·K·汉德罗斯;R·马滕森;G·L·马蒂厄 申请(专利权)人: 佛姆法克特股份有限公司
主分类号: H01R12/00 分类号: H01R12/00
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 代理人: 脱 颖
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 可以使用碳纳米管接触结构来构成对DUT的压力连接。所述接触结构可以使用碳纳米管膜或用溶液中的碳纳米管形成。碳纳米管膜可以在牺牲基板的沟槽中生长,然后通过金属镀敷在此基板中形成接触结构如梁或接触元件。还可以在接触元件上形成此膜,并且所述膜中散布有金属柱,以提供刚性和弹性。接触结构或其部分也可以用含碳纳米管的溶液镀敷形成。产生的接触结构可以是韧性的,并提供了良好的导电性。
搜索关键词: 纳米 接触 结构
【主权项】:
1.一种接触结构,该结构包括:互连元件,该元件具有第一部分,所述第一部分构造和设置成可供搭载在基板上并与之形成电连接;接触元件,附在所述互连元件上;和多个碳纳米管,所述碳纳米管与所述接触元件的表面连通用于接触半导体器件上的垫片。
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