[发明专利]在斜面蚀刻处理期间避免低k损伤无效
| 申请号： | 200780031547.6 | 申请日： | 2007-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN101506939A | 公开（公告）日： | 2009-08-12 |
| 发明（设计）人： | 金允尚;安德鲁·贝利三世;杰克·陈 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;G03F7/42;H01L21/00;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余 刚;吴孟秋 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种蚀刻基片斜缘的方法。在该蚀刻层上形成图案化光刻胶掩模。清洁该斜缘，包括：提供清洁气体，其包括CO2、CO、CxHy、H2、NH3、CxHyFz和其组合的至少一个；由该清洁气体形成清洁等离子；以及将该斜缘暴露于该清洁等离子。穿过该光刻胶特征将特征蚀刻进该蚀刻层，以及去除该光刻胶掩模。 | ||
| 搜索关键词： | 斜面 蚀刻 处理 期间 避免 损伤 | ||
【主权项】：
1. 一种蚀刻基片斜缘的方法，包括：在蚀刻层上形成图案化光刻胶掩模；清洁该斜缘，包括：提供清洁气体，其包括CO2、CO、CxHy、H2、NH3、CxHyFz或其组合的至少一个；由该清洁气体形成清洁等离子；以及将该斜缘暴露于该清洁等离子；穿过该光刻胶特征将特征蚀刻进该蚀刻层；以及去除该光刻胶掩模。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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