[发明专利]碳结构体的制造装置及制造方法有效
| 申请号： | 200780031661.9 | 申请日： | 2007-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN101506095A | 公开（公告）日： | 2009-08-12 |
| 发明（设计）人： | 中井宏;橘胜 | 申请（专利权）人： | 株式会社IHI |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B01J35/02;B01J37/02;C23C16/26;C23C16/513 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 温大鹏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及在基板上形成碳结构体的碳结构体的制造装置。该制造装置具备：形成收容基板的第一空间的第一室；向第一空间供给用于形成碳结构体的原料气体的原料气体供给装置；形成与第一空间不同的第二空间的第二室；向第二空间供给用于生成等离子体的气体的气体供给装置；在第二空间生成等离子体的等离子体生成装置；连接第一空间与第二空间的开口；和经由开口将在第二空间中生成的等离子体导入到第一空间的等离子体导入装置；基于被导入到第一空间的等离子体并利用原料气体，在基板上形成碳结构体。根据该制造装置，当在基板上形成碳结构体时，可抑制电极等的污染和异物等的发生，能够大面积地良好地形成碳结构体。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 制造 装置 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种碳结构体的制造装置，用于在基板上形成碳结构体，其特征在于，具备：形成收容前述基板的第一空间的第一室；向前述第一空间供给用于形成前述碳结构体的原料气体的原料气体供给装置；形成与前述第一空间不同的第二空间的第二室；向前述第二空间供给用于生成等离子体的气体的气体供给装置；在前述第二空间中生成等离子体的等离子体生成装置；连接前述第一空间与前述第二空间的开口；和经由前述开口将在前述第二空间中生成的前述等离子体导入到前述第一空间的等离子体导入装置；基于被导入到前述第一空间的前述等离子体并利用前述原料气体，在前述基板上形成前述碳结构体。
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