[发明专利]用于掺杂太阳能电池制造中使用的化合物层的工艺

摘要

本发明包括制备用于辐射检测器和光电用途的掺杂半导体薄膜的方法和装置，特别是在IBIIIAVIA族层中增加碱金属掺杂剂的方法和装置。在具体的方面，本发明包括制备用于太阳能电池的掺杂的IBIIIAVIA族吸收层的方法，通过使VIA族材料与具有多个层的金属堆叠反应形成吸收层，其中每个层含有一定浓度的选自Na、K和Li的碱金属。

主权项

1. 制备用于太阳能电池的掺杂的IBIIIAVIA族吸收层的方法，该方法包括：形成金属堆叠，形成金属堆叠的步骤包括如下步骤：使用一种或多种IB族镀覆溶液电镀至少一层IB族材料，和使用一种或多种IIIA族镀覆溶液电沉积至少一层IIIA族材料，以及使金属堆叠与至少一种VIA族材料反应，其中一种或多种IB族镀覆溶液和一种或多种IIIA族镀覆溶液各自含有一定浓度的碱金属，所述碱金属选自Na、K和Li。