[发明专利]负性工作元件的成像和显影方法无效

专利信息
申请号: 200780031821.X 申请日: 2007-08-20
公开(公告)号: CN101632041A 公开(公告)日: 2010-01-20
发明(设计)人: T·陶;K·B·雷;S·A·贝克利;P·R·韦斯特 申请(专利权)人: 伊斯曼柯达公司
主分类号: G03F7/32 分类号: G03F7/32;B41C1/10
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 赵苏林;范 赤
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 负性工作的可成像元件可在成像后用pH值低的有机基的单相显影剂进行显影,该显影剂的毒性和腐蚀性较低,且在使用后可更方便地对其进行显影。该显影剂的pH值小于12,且包含a)含有含氮杂环的两性表面活性剂,b)具有两个或多个氮原子的两性表面活性剂,或者c)a)的两性表面活性剂和b)的两性表面活性剂。
搜索关键词: 工作 元件 成像 显影 方法
【主权项】:
1.一种提供成像的和显影的元件的方法,包括:A)使用激光器对负性工作的可成像元件进行成像曝光,该元件包括基材,在其上具有可成像层来提供曝光和非曝光区域,所述可成像层包含:可自由基聚合的组分,引发剂组合物,其能够产生足够的自由基,以在暴露于成像辐射时引发所述可自由基聚合的组分聚合,辐射吸收化合物,以及聚合粘合剂,和B)使所述经成像曝光的元件与单相显影剂接触,仅除去所述非曝光区域而提供显影的元件,其中所述显影剂的pH小于12且包含:a)包含含氮杂环的两性表面活性剂,b)具有两个或更多氮原子的两性表面活性剂,或c)a)中的两性表面活性剂和b)中的两性表面活性剂。
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