[发明专利]用于制造电阻转换器件的方法和由此获得的器件无效
| 申请号： | 200780031861.4 | 申请日： | 2007-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN101622729A | 公开（公告）日： | 2010-01-06 |
| 发明（设计）人： | 卢多维克·古克斯;德克·武泰斯 | 申请（专利权）人： | 校际微电子中心 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L51/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李 玲 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 比利时;BE |
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| 摘要： | 为了改进电阻转换存储器的可量测性，披露了一种交叉点电阻转换结构，其中插塞本身用于存储电阻转换材料，并且顶部电极层例如使用机械化学抛光(CMP)或仅通过机械抛光而与所述插塞自动对齐。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 电阻 转换 器件 方法 由此 获得 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造电阻转换器件的方法，所述器件包括底部电极、顶部电极和与所述底部电极和顶部电极接触的电阻转换材料层，其中所述方法包括：提供包括所述底部电极的衬底；在所述衬底上提供包括一个暴露了所述底部电极的开口的介电层；和在所述开口中形成电阻转换材料层。
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