[发明专利]具有SiGe/Si沟道结构的功率沟槽MOSFET有效
| 申请号： | 200780032221.5 | 申请日： | 2007-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN101512777A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 朴赞毫;王琦 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/80 | 分类号： | H01L29/80 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余 刚;吴孟秋 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 改善对瞬态电压的抗干扰性并减小寄生阻抗的装置、方法和处理。改善了对非钳制电感性切换事件的抗干扰性。例如，提供具有SiGe源极的沟槽栅功率MOSFET装置，其中，SiGe源极通过减小体或阱区域中的空穴电流来减小寄生npn晶体管增益，从而降低闭锁状态的可能性。还提供具有SiGe体或阱区域的沟槽栅功率MOSFET装置。当体二极管开启时，SiGe体减小空穴电流，从而减小反向恢复功率损失。还改善了装置的其他特性。例如，通过使用多晶SiGe栅可以减小寄生栅极阻抗。而且，通过在装置的栅极附近使用SiGe层可以减小沟道电阻，并且可以在沟道栅极之下形成厚氧化物区域以减小栅极至漏极电容。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 sige si 沟道 结构 功率 沟槽 mosfet | ||
【主权项】：
1. 一种MOS栅晶体管，包括：源极区；体区，包括沟道区，所述沟道区包括第一层；漏极区，与所述体区形成pn结；以及栅极，沿着所述沟道区的至少一部分延伸；氧化物层，在所述栅极之下并且在所述栅极和漏极之间，其中，所述第一层具有比所述漏极区更低的能隙。
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