[发明专利]酰亚胺络合物、其制造方法、含金属薄膜及其制造方法有效
| 申请号： | 200780032292.5 | 申请日： | 2007-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN101511772A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 多田贤一;古川泰志;稻叶孝一郎;肆矢忠宽;千叶洋一;山本俊树;山川哲;大岛宪昭 | 申请（专利权）人： | 东曹株式会社;财团法人相模中央化学研究所 |
| 主分类号： | C07C211/65 | 分类号： | C07C211/65;C07C209/00;C01G33/00;C23C16/18;C01G35/00;C07F9/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题在于提供一种新型的铌或钽络合物、其制造方法、使用其的含金属薄膜及其制造方法，该新型的铌或钽络合物具有良好的蒸气压，成为用于通过CVD法或ALD法等制造含有铌或钽的薄膜的原料。本发明为：通过例如M1(NR1)X3(L)r(2)与碱金属醇盐(3)反应制造通式(1)所示的酰亚胺络合物(式中，M1表示铌原子或钽原子，R1表示碳数1～12的烷基，R2表示碳数2～13的烷基，X表示卤原子，L为1，2-二甲氧基乙烷配体时，r为1；L为吡啶配体时，r为2，M2表示碱金属。)、并将该酰亚胺络合物(1)作为原料使用，从而制造含有铌或钽的薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 亚胺 络合物 制造 方法 金属 薄膜 及其 | ||
【主权项】：
1. 一种酰亚胺络合物，其特征在于，其由通式(1)所示：M1(NR1)(OR2)3 (1)(式中，M1表示铌原子或钽原子，R1表示碳数1～12的烷基，R2表示碳数2～13的烷基。)。
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