[发明专利]制造半导体的方法和设备有效
| 申请号： | 200780032294.4 | 申请日： | 2007-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN101542703A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 文森特·陈;罗登·托帕西欧;尼尔·麦克莱伦 | 申请（专利权）人： | ATI科技无限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/68 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;吴贵明 |
| 地址： | 加拿大*** | 国省代码： | 加拿大;CA |
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| 摘要： | 一种封装多个半导体芯片的方法包括：提供具有第一热膨胀系数(CTE)的基片面板；提供具有第二CTE的托架，该第二CTE小于该第一CTE；分别将该基片面板和该托架加热到第一和第二高温；将在大约该第一高温的该基片面板安装到托架以提供该托架和该基片面板之间的连接，该托架处于所述第二高温；以及将该托架和该基片面板从该第一和第二高温冷却，由此在至少一个方向将该基片面板张紧。加强面板可以贴附到该基片面板，并且加热至一个高温，而该基片面板加热到一个高温。多个模片可以安装并且电连接至该基片面板。该多个模片的底部填充可利用贴附到该基片面板的加强面板进行。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种封装多个半导体芯片的方法，包括：a)提供具有第一热膨胀系数(CTE)的基片面板，；b)提供具有第二CTE的托架，该第二CTE小于所述第一CTE；c)分别将所述基片面板和所述托架加热至第一和第二高温；d)将在大约所述第一高温的所述基片面板安装到所述托架以提供所述托架和所述基片面板之间的连接，所述托架处于大约所述第二高温；e)将所述托架和所述基片面板从所述第一和第二高温冷却，由此在至少一个方向将所述基片面板张紧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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