[发明专利]用于通过APC控制策略来减少曝光场内的覆盖误差的方法及系统有效
| 申请号： | 200780032454.5 | 申请日： | 2007-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN101535898A | 公开（公告）日： | 2009-09-16 |
| 发明（设计）人： | R·泽而特曼;B·舒尔茨;F·亨普尔;U·舒尔策 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程 伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 通过考虑到对准控制系统中的与工具有关的变形特征记号以及与光罩有关的放置特性，可显著地增强复杂的APC策略的控制品质。可根据工具/光罩的任何组合及将要相互对准的各层，而建立各个修正数据，因而可根据从专用覆盖标记得到的标准覆盖测量数据，而修改用来控制对准处理的对准参数的各个目标值。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 通过 apc 控制 策略 减少 曝光 场内 覆盖 误差 方法 系统 | ||
【主权项】：
1. 一种方法，包括：产生微结构器件的第一器件层(186)及第二器件层(187)的多个不同组合的覆盖修正数据(140)，该第一器件层(186)由一个或多个第一光掩膜(181)界定，该第二器件层(187)由一个或多个第二光掩膜(182)界定，该第一器件层(186)及第二器件层(187)通过使用多个光刻工具(183)而形成，该覆盖补偿数据(140)从第一及第二光掩膜(181、182)内的第一多个测量位置(181a)得到；使用所述第一光掩膜(181)之一以及该多个光刻工具(183)之一在第一产品衬底(180)上形成该第一器件层(186)；以及使用该覆盖修正数据(140)以及从其上形成有该第一及第二层的先前被处理过的衬底的第二多个测量位置(185a)所得到的覆盖测量数据(110)，将用于该多个光刻工具(183)之一的所述第二光掩膜(182)之一对准到该第一产品衬底(184)上形成的该第一器件层(186)，该第二多个测量位置(185a)少于该第一多个测量位置(181a)。
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