[发明专利]铜互连阻挡界面制备的方法和装置有效
| 申请号： | 200780032532.1 | 申请日： | 2007-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN101511494A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 约翰·博伊德;耶兹迪·多尔迪;衡石·亚历山大·尹;弗里茨·C·雷德克 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | B05D5/12 | 分类号： | B05D5/12;H01L21/4763 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;吴贵明 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 阻挡层和铜层之间的粘着可通过在铜淀积前使该阻挡层富金属以及通过在铜淀积之前限制暴露至该阻挡层的氧的数量得到提高。替代性地，可在该阻挡层上淀积功能化层，使得淀积在该铜互连中的铜层与阻挡层之间具有良好的粘着。该方法包括淀积该金属阻挡层，以将该铜互连结构填在该集成系统中，其中在淀积该金属阻挡层后，转移基底并在受控环境中进行处理，以防止形成金属阻挡氧化物。该方法还包括将该功能化层淀积在集成系统中的金属层上。该方法进一步包括在将该功能化层淀积在该金属阻挡层上以防止电迁移问题后，将该铜层淀积在集成系统中的铜互连结构中。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 阻挡 界面 制备 方法 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种准备基底的基底表面，在铜互连的金属阻挡层上淀积功能化层，以帮助铜层淀积在集成系统的铜互连中，从而提高该铜互连的电迁移性能的方法，该方法包括：淀积该金属阻挡层，以将该铜互连结构填在该集成系统中，其中在淀积该金属阻挡层后，转移基底并在受控环境中进行处理，以防止形成金属阻挡氧化物；将该功能化层淀积在集成系统中的金属层上；以及将该功能化层淀积在该金属阻挡层上后，将该铜层淀积在集成系统中的铜互连结构中。
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