[发明专利]互连结构中的碳纳米结构生长的控制无效
| 申请号： | 200780032667.8 | 申请日： | 2007-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN101573797A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 洛朗·戈塞;华金·托里斯 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司;ST微电子（克罗莱斯2）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 源;张天舒 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明公开了对互连结构中的碳纳米结构生长的控制。提供了一种衬底上的互连结构。该互连结构包括在衬底层上或上方的至少两个互连层上的导电互连元件。在本发明的互连结构中，至少一个导电通孔将一个互连层上或衬底层上的第一互连元件连接到不同互连层上的第二互连元件。该通孔在第一电介质层的通孔开口中延伸，并且包括导电通孔材料，该导电通孔材料包含导电的圆柱形碳纳米结构。至少一个覆盖层段伸入通孔开口的横向延伸，并且限定了通孔窗口，该通孔窗口小到能够防止碳纳米结构穿过该通口窗口。该结构增强了在制造互连结构期间对碳纳米结构在高度方向上的生长的控制。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 中的 纳米 生长 控制 | ||
【主权项】：
1.一种衬底上的互连结构(100)，所述互连结构(100)具有在衬底层上或在衬底层上方的至少两个互连层(104，107)上的导电互连元件(102，140)，其中至少一个导电通孔(136)将一个互连层(104)上或衬底层上的第一互连元件(102)连接至不同互连层(107)上的第二互连元件(140)，通孔(136)在第一电介质层(110)的通孔开口(112)中延伸并且包括导电通孔材料(136)，所述导电通孔材料(136)包含导电的圆柱形碳纳米结构(138)，以及其中至少一个覆盖层段(132.1，132.2)伸入通孔开口(112)的横向延伸，并且限定了通孔窗口(d)，该通孔窗口小到能防止所述碳纳米结构穿过通孔窗口(d)。
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