[发明专利]薄膜形成方法及薄膜形成装置有效

专利信息
申请号: 200780032826.4 申请日: 2007-08-29
公开(公告)号: CN101512038A 公开(公告)日: 2009-08-19
发明(设计)人: 小林大士;小松孝;中村久三;堀下芳邦;依田英德;佐藤重光;中岛利夫 申请(专利权)人: 株式会社爱发科
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34
代理公司: 北京英特普罗知识产权代理有限公司 代理人: 齐永红
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供一种薄膜形成方法以及实施该薄膜形成方法的薄膜形成装置,其并联设置了多个与交流电源连接的电极对,比较该并联设置的电极对中与不同的交流电源连接的彼此相邻电极间的输出,当输出电位差超过规定值的情况下,通过调整上述交流电源的输出,使输出电位差收敛到上述规定值以下。
搜索关键词: 薄膜 形成 方法 装置
【主权项】:
1、一种薄膜形成方法,其在与配置在真空容器内的被处理基板相向的位置上并联设置了多个电极对,通过与各对电极连接的交流电源,以规定的频率交替改变极性,输出交流电压,使构成各对电极的两个电极交替切换为阳极电极和阴极电极,使该阳极电极及阴极电极间产生辉光放电形成等离子气氛,通过使各电极对产生溅射,在上述被处理基板上形成薄膜,其特征在于:比较上述并联设置的电极对中,与不同的交流电源连接的彼此相邻的电极间的上述输出,当输出电位差超过规定值的情况下,通过调整上述交流电源的输出,使输出电位差收敛到上述规定值以下。
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