[发明专利]横向结型场效应晶体管无效
申请号: | 200780032993.9 | 申请日: | 2007-09-21 |
公开(公告)号: | CN101512739A | 公开(公告)日: | 2009-08-19 |
发明(设计)人: | 增田健良;并川靖生 | 申请(专利权)人: | 住友电气工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/337 | 分类号: | H01L21/337;H01L29/417;H01L29/808 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孙志湧;穆德骏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 在p-外延层(3)上,依次形成n型外延层(4)和栅极区域(5)。栅极电极(12a)电连接至栅极区域(5),并且源极电极(12b)和漏极电极(12c)用夹在它们之间的栅极电极(12a)而彼此分隔开。控制电极(12d)用于给p-外延层(3)施加使p-外延层(3)和n型外延层(4)在截止操作时处于反向偏置状态的电压。 | ||
搜索关键词: | 横向 场效应 晶体管 | ||
【主权项】:
1. 一种横向结型场效应晶体管,包括:第一导电类型的耐压保持区域(3);第二导电类型的沟道区域(4),其形成在所述耐压保持区域上;第一导电类型的栅极区域(5),其形成在所述沟道区域上;栅极电极(12a),其电连接至所述栅极区域;源极电极(12b)和漏极电极(12c),彼此之间被夹在所述源极电极和所述漏极电极之间的所述栅极电极分隔开,并且所述源极电极和所述漏极电极电连接至所述沟道区域;以及控制电极(12d),用于给所述耐压保持区域施加使所述耐压保持区域和所述沟道区域在截止操作时处于反向偏置状态的电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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