[发明专利]用于通过基于受应力的注入掩膜的应力记忆法而形成受应变的晶体管的方法有效
| 申请号： | 200780033417.6 | 申请日： | 2007-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN101517731A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | F·维尔贝莱特;R·博施克;M·热拉尔 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程 伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 通过使用具有高本征应力(intrinsic stress)的注入掩膜，可提供应力记忆技术顺序(SMT)，其中可避免额外的微影步骤。结果，可提供应变源(strain source)而不会显著增加整体工艺的复杂度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 通过 基于 应力 注入 记忆 形成 应变 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
1、一种方法，包括：用第一注入掩膜(109)覆盖接收具有第一导电类型的掺杂物种的第一区，该第一区是在半导体层(103)中且与第一栅极电极(105A)相邻，该第一注入掩膜包括指定的第一本征应力；将具有第二导电类型的掺杂物种注入与第二栅极电极(105B)相邻的第二区中，该第二区未被该第一注入掩膜(109)覆盖：以及将具有该第一注入掩膜(109)的该第一区与该第二区适当地退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
