[发明专利]原位晶片温度测量和控制

摘要

大体而言，本发明的实施例通过提供原位晶片温度测量方法以及设备满足该需求。该原位基片温度测量方法以及设备提供瞬时晶片温度信息以允许持续监测该蚀刻工艺。该方法以及设备还允许瞬时基片温度控制以使得晶片与晶片之间以及室与室之间工艺分布更紧密。提供示范性的组合设备工具系统。该组合设备工具系统包括基片夹持工作台，用于夹持能够发出指示基片温度的信号的基片；以及处理室，该处理室配置为从该基片夹持工作台接收基片以及当该基片在该处理室中时进行主动工艺操作。该组合设备工具系统还包括信号检测器，用于检测在该处理室进行该主动工艺操作时由该基片发出的信号，该信号检测器配置为收集所发出的收集指示该基片温度的信号。

主权项

1. 一种处理室，包括：静电卡盘，包括至少一个光线管，该静电卡盘能够接收在背面至少一个点上具有感光以及温敏材料的基片；光源，耦接到该至少一个光线管，该光源配置为提供光线至该至少一个光线管以便当该基片在该静电卡盘上时提供光线至该基片背面的该至少一个点；检测器，耦接至该光线管，该检测器配置为收集从该基片背面至少一个点上的感光以及温敏材料发出的光线以确定在该基片背面至少一个点上的基片温度；以及室控制器，利用所确定的基片温度来调节该静电卡盘温度控制参数，从而为在该静电卡盘上处理的多个基片保持所需的基片温度范围。