[发明专利]用于半导体集成电路装置的抛光剂、抛光方法以及半导体集成电路装置的制造方法无效
| 申请号： | 200780033617.1 | 申请日： | 2007-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN101512733A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 金喜则;吉田伊织;中泽伯人 | 申请（专利权）人： | 旭硝子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B37/00;C09K3/14 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种抛光技术，其确保当在半导体集成电路装置的制造中对待抛光面进行抛光时可以获得硼磷硅酸盐玻璃材料层与其它材料之间合适的抛光速率比，从而可以实现包含硼磷硅酸盐玻璃材料层的待抛光面的高度平坦化。本发明涉及化学机械抛光用抛光剂，包含二氧化铈粒子，水溶性多胺，选自单乙醇胺、乙基乙醇胺、二乙醇胺和氨的一种以上的碱性化合物，以及水，其中该抛光剂的pH值为10至13，且其中碱性化合物的含量大于0.01质量％。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 集成电路 装置 抛光 方法 以及 制造 | ||
【主权项】：
1. 一种抛光剂，其为在半导体集成电路装置的制造中用于对待抛光面进行抛光的化学机械抛光用抛光剂，所述抛光剂包含：二氧化铈粒子，水溶性多胺，选自单乙醇胺、乙基乙醇胺、二乙醇胺和氨的一种以上的碱性化合物，以及水，其中所述抛光剂的pH值为10～13，且其中相对于所述抛光剂的总质量，所述碱性化合物的含量大于0.01质量％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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