[发明专利]发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 200780033885.3 | 申请日： | 2007-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN101517753A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 李尚烈 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜有;刘继富 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管及其制造方法。在所述方法中，形成半导体层，并且在所述半导体层上形成掩模层。使激光辐照到掩模层的划片区域上以将所述半导体层分为多个发光二极管。蚀刻划片区域，然后移除掩模层。接着使所述多个发光二极管彼此分离。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造发光二极管(LED)的方法，所述方法包括：形成半导体层；在所述半导体层上形成掩模层；使激光辐照到所述掩模层的划片区域上，以将所述半导体层分为多个发光二极管；蚀刻所述划片区域；移除所述掩模层；和分离所述多个发光二极管。
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