[发明专利]切断方法以及外延晶片的制造方法有效
| 申请号： | 200780034238.4 | 申请日： | 2007-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN101517710A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 大石弘;仲俣大辅 | 申请（专利权）人： | 信越半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B27/06;B28D5/04 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 冯志云;郑特强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种切断方法，是将钢线卷绕于多个附凹沟滚筒，一边供给切断用浆液至该附凹沟滚筒，一边使上述钢线行进地压抵晶棒，将其切断成晶片状的方法，其特征在于：预先一边控制切断用浆液的供给温度，将其供给至附凹沟滚筒，一边进行切断晶棒的试验，来调查附凹沟滚筒的轴方向位移与切断用浆液的供给温度的关系，然后由该附凹沟滚筒的轴方向位移与切断用浆液的供给温度的关系来设定切断用浆液的供给温度曲线，并基于该供给温度曲线供给上述切断用浆液，以此一边控制附凹沟滚筒的轴方向位移一边切断晶棒，使要被切断的晶片全部的弯度集中于一方向。以此，可提供一种切断方法，使用线锯切断晶棒时，可简单且再现性良好地集中晶片全部的弯曲于一方向。 | ||
| 搜索关键词： | 切断 方法 以及 外延 晶片 制造 | ||
【主权项】：
1.一种切断方法，是将钢线卷绕于多个附凹沟滚筒，一边供给切断用浆液至上述附凹沟滚筒，一边使上述钢线行进地压抵晶棒，将其切断成晶片状的方法，其特征在于：预先一边控制上述切断用浆液的供给温度，将其供给至上述附凹沟滚筒，一边进行切断晶棒的试验，来调查上述附凹沟滚筒的轴方向位移与上述切断用浆液的供给温度的关系，然后由上述附凹沟滚筒的轴方向位移与切断用浆液的供给温度的关系来设定上述切断用浆液的供给温度曲线，并基于该供给温度曲线供给上述切断用浆液，以此一边控制上述附凹沟滚筒的轴方向位移一边切断晶棒，使要被切断的晶片全部的弯曲集中于一方向。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
