[发明专利]等离子体清洁方法和等离子体CVD方法无效
| 申请号： | 200780034763.6 | 申请日： | 2007-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN101517713A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 鸿野真之;西田辰夫;中西敏雄 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/3065;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供等离子体清洁方法和等离子体CVD方法，该等离子体清洁方法包括：向在被处理基板表面沉积有氮化硅膜的等离子体CVD装置的处理容器内导入含有NF3气体的清洁气体，除去处理容器内的沉积物的工序(S1)；之后，向处理容器内导入含有氢气的气体并形成等离子体，除去残留在处理容器内的氟的工序(S2)；和进一步向处理容器内导入含有稀有气体的气体并形成等离子体，除去残留在处理容器内的氢的工序(S3)。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 清洁 方法 cvd | ||
【主权项】：
1.一种等离子体清洁方法，用来在等离子体处理装置中，使用清洁气体的等离子体对等离子体处理装置中沉积有沉积物的处理容器内进行清洁，该等离子体清洁方法的特征在于，包括：向所述处理容器内导入含有NF3气体的清洁气体并形成等离子体，除去所述处理容器内的沉积物的工序；和在除去所述沉积物之后，向所述处理容器内导入含有氢气的气体并形成等离子体，除去残留在所述处理容器内的氟的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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