[发明专利]电子器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种制造穿过衬底的垂直互连结构的方法。该方法利用了布置在衬底200的第一侧202和第二侧204之间的牺牲掩埋层220。在已经从第一侧蚀刻了沟槽206和206’之后，牺牲掩埋层220用作从第二侧蚀刻孔218和218’期间的停止层，因此在对孔进行过蚀刻期间保护沟槽不受损害。完全消除沟槽的蚀刻与孔的蚀刻之间的影响，从而提供了多个用于工艺选择和器件制造的优点。在去除了部分牺牲掩埋层以互连沟槽和孔之后，填充产生的垂直互连孔来形成垂直互连结构。

主权项

1.一种制造电子器件的方法，该电子器件包括穿过半导体衬底的垂直互连结构，所述半导体衬底具有在第一侧上的第一表面和在第二侧上的第二表面，所述垂直互连结构从第一表面延伸到第二表面，-该方法包括以下步骤：-向衬底提供被布置在第一表面和第二表面之间的牺牲掩埋层；-通过从衬底的第一侧去除材料，向衬底提供从第一表面延伸到牺牲掩埋层的沟槽，从而牺牲掩埋层暴露了第一区域，牺牲掩埋层具有与第一区域的平面平行的第一横截面，该第一横截面大于第一区域并且与第一区域重叠，以及通过从衬底的第二侧相对于牺牲掩埋层有选择地去除材料，向衬底提供从第二表面延伸到牺牲掩埋层的孔，从而牺牲掩埋层暴露了第二区域，牺牲掩埋层具有与第二区域的平面平行的第二横截面，该第二横截面大于第二区域并且与第二区域重叠，并且第二区域小于第一区域。