[发明专利]半导体元件金属化方法及其应用无效
| 申请号： | 200780034994.7 | 申请日： | 2007-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN101529601A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 安德烈亚斯·格罗厄;扬-弗雷德里克·内卡尔达;奥利弗·舒尔茨-维特曼 | 申请（专利权）人： | 弗兰霍菲尔运输应用研究公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种采用铝金属使半导体元件金属化的方法。特别是在产品的加工成本占主要地位时，例如基于硅的太阳能电池，采用本发明可以实现成本优势。本发明还涉及该方法的应用，例如制造太阳能电池。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 金属化 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
1、一种采用铝金属使半导体元件的至少一个表面至少部分金属化的方法，其中a)使一铝金属薄片与该表面至少部分地直接接触，以及b)随后，通过能量作用来实现该铝金属到半导体元件的该表面的至少部分连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于弗兰霍菲尔运输应用研究公司，未经弗兰霍菲尔运输应用研究公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200780034994.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
