[发明专利]半导体传感器装置、包括该装置的诊断仪器及其制作方法无效

专利信息
申请号: 200780035084.0 申请日: 2007-09-17
公开(公告)号: CN101517404A 公开(公告)日: 2009-08-26
发明(设计)人: N·N·卡亚;E·P·A·M·巴克斯 申请(专利权)人: 皇家飞利浦电子股份有限公司
主分类号: G01N27/414 分类号: G01N27/414;H01L29/06
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 李亚非;谭祐祥
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 发明涉及一种用于检测物质的半导体传感器装置(10),该半导体传感器装置(10)包括至少一个纳米线(11),该至少一个纳米线(11)在半导体实体(12)的表面上形成,并且在第一端连接到第一导电连接区域(13)和在第二端连接到第二导电连接区域(14),同时包括被检测物质(30)的流体(20)可以沿着该纳米线(11)流动且被检测物质(30)可以影响该纳米线(11)的电学属性,其中,在纵向方向看,该纳米线(11)相继包括第一半导体子区域(1)和第二半导体子区域(2),该第一半导体子区域(1)包括第一半导体材料,该第二半导体子区域(2)包括不同于第一半导体材料的第二半导体材料。根据本发明,该第一半导体材料包括IV族元素材料,该第二半导体材料包括III-V族化合物。由于子区域(1,2)之间的表面化学性质的差异,像与发信息告知疾病的蛋白质结合的抗体这样的物质(30)可以被更选择性地附接到所希望的第一区域(1)。
搜索关键词: 半导体 传感器 装置 包括 诊断 仪器 及其 制作方法
【主权项】:
1.用于检测物质的半导体传感器装置(10),该半导体传感器装置(10)包括至少一个平台形半导体区域(11),该至少一个平台形半导体区域(11)在半导体实体(12)的表面上形成,并且在第一端连接到第一导电连接区域(13)和在第二端连接到第二导电连接区域(14),同时包括被检测物质(30)的流体(20)可以沿着该平台形半导体区域(11)流动且被检测物质(30)可以影响该平台形半导体区域(11)的电学属性,其中,在纵向方向看,该平台形半导体区域(11)相继包括第一半导体子区域(1)和第二半导体子区域(2),该第一半导体子区域(1)包括第一半导体材料,该第二半导体子区域(2)包括不同于第一半导体材料的第二半导体材料,该半导体传感器装置(10)的特征在于该第一半导体材料包括IV族元素材料且该第二半导体材料包括III-V族化合物。
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