[发明专利]自对准平面相变存储器元件及装置、采用所述元件及装置的系统以及形成所述元件及装置的方法有效
申请号: | 200780035551.X | 申请日: | 2007-07-26 |
公开(公告)号: | CN101529595A | 公开(公告)日: | 2009-09-09 |
发明(设计)人: | 刘峻 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L27/24 | 分类号: | H01L27/24;H01L45/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 王允方 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明揭示相变存储器元件、使用所述相变存储器元件的装置及系统以及形成所述相变存储器元件的方法。存储器元件(201)包含第一及第二电极(31、32)以及位于所述第一与第二电极之间的相变材料层(16)。所述相变材料层具有第一部分(316b),所述第一部分具有小于所述相变材料层的第二部分(316a)的宽度的宽度。所述第一电极、第二电极及相变材料层可至少部分地沿同一水平面而定向。 | ||
搜索关键词: | 对准 平面 相变 存储器 元件 装置 采用 系统 以及 形成 方法 | ||
【主权项】:
1、一种存储器装置,其包括:至少一个存储器元件,其包括:第一及第二电极;及相变材料层,其位于所述第一与第二电极之间,所述相变材料层具有至少第一及第二部分,所述第一部分具有小于所述第二部分的宽度的宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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